優(yōu)質(zhì)熱電阻溫度計(jì)

熱電阻(RTD)溫度計(jì)，適用于衛(wèi)生和無(wú)菌應(yīng)用場(chǎng)合

公制型儀表，采用通用技術(shù)

適用于所有標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用場(chǎng)合，帶固定不可更換鎧裝 芯子

應(yīng)用

• 專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于食品&飲料和生命科學(xué)行業(yè)中的衛(wèi)生和無(wú)菌應(yīng)用場(chǎng)合

• 測(cè)量范圍為–50…+200 °C (–58…+392 °F)

• Z大壓力為 50 bar (725 psi)

• Z高防護(hù)等級(jí)為 IP69K

• 可以在非防爆區(qū)域中使用

優(yōu)質(zhì)熱電阻溫度計(jì)

4…20 mA HART®模擬量輸出

優(yōu)勢(shì)

• 高性?xún)r(jià)比和發(fā)貨迅速

• 用戶(hù)友好且可靠的從產(chǎn)品選型至維護(hù)過(guò)程

• 認(rèn)證：衛(wèi)生型標(biāo)準(zhǔn)，符合 3-A®認(rèn)證、EHEDG 測(cè)試、ASME BPE 認(rèn)證、FDA 認(rèn)證、TSE 適用性認(rèn)證

• 提供多種過(guò)程連接

測(cè)量原理

熱電阻(RTD)

熱電阻采用符合 IEC 60751 標(biāo)準(zhǔn)的 Pt100 溫度傳感器。溫度傳感器為溫度敏感性鉑熱電阻，阻抗 為 100 ? (0 °C (32 °F)時(shí))，溫度系數(shù)為 α = 0.003851 °C-1。

通常，有兩種不同類(lèi)型的鉑熱電阻：

• 繞線(xiàn)式(WW)：由兩根極細(xì)的高純度鉑絲在陶瓷載體內(nèi)繞制而成，并通過(guò)陶瓷保護(hù)層在載體頂部 和底部對(duì)鉑絲進(jìn)行密封處理。此類(lèi)熱電阻具有高可重現(xiàn)性，過(guò)程溫度高達(dá) 600 °C (1112 °F)時(shí)， 仍能保證良好的阻抗-溫度關(guān)系的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。繞線(xiàn)式(WW)熱電阻的體積較大，抗振性較差。

• 薄膜式鉑電阻溫度計(jì)(TF)：在真空狀態(tài)下，將厚度約為 1 μm 的超高純度鉑層汽化固定在陶瓷基 板上，光刻制作而成。由此構(gòu)成的鉑導(dǎo)體形成測(cè)量阻抗。附加覆蓋層和鈍化層可靠保護(hù)薄鉑 層，防止高溫條件下出現(xiàn)氧化和污染。

薄膜式(TF)熱電阻與繞線(xiàn)式(WW)熱電阻相比，突出優(yōu)點(diǎn)為較小的體積和較好的抗振性。高溫條件 下，薄膜式(TF)熱電阻的阻抗-溫度關(guān)系偏差較小，符合 IEC 60751 標(biāo)準(zhǔn)。因此，薄膜式(TF)熱電阻的溫度測(cè)量誤差可達(dá)溫度等級(jí) A，符合 IEC 60751 標(biāo)準(zhǔn)(Z高溫度約為 300 °C (572 °F))。所以， 薄膜式(TF)熱電阻通常僅在溫度低于 400 °C (752 °F)的條件下測(cè)量。

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